لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : پاورپوینت نوع فایل : powerpoint (..ppt) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد اسلاید : 68 اسلاید
قسمتی از متن powerpoint (..ppt) :
بنام خدا حافظه مجازی حافظه مجازی: جداسازی حافظه منطقی کاربر از حافظه فیزیکی برای اجرای برنامه تنها قسمتی از آن باید در حافظه قرار گیرد. بنابراین می توان فضای حافظه منطقی را بسیار بزرگتر از فضای حافظه فیزیکی در نظر گرفت. اجازه می دهد فضاهای آدرس توسط چندین پردازه به اشتراک گذارده شوند. اجازه می دهد پردازه ها به صورت بهینه تری ایجاد شوند. می توان حافظه مجازی را به دو طریق ایجاد کرد: روش تقاضای صفحه روش تقاضای قطعه پیش زمینه حافظه مجازی بزرگ تر از حافظه فیزیکی فضای آدرس مجازی
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : پاورپوینت نوع فایل : powerpoint (..ppt) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد اسلاید : 25 اسلاید
قسمتی از متن powerpoint (..ppt) :
1 بسم الله الرحمن الرحيم
2 حافظه های جانبی حافظه انواع حافظه : که خود شامل دو گروه : حافظه اصلي RAM-ROM-CMOS 2. حافظه جانبی الف- ديسك هاي مغناطيسي ب - ديسك هاي نوري ج -حافظه هاي فلش ( flash ) 3 حافظه هاي جانبی الف- ديسك هاي مغناطيسي ديسك نرم ( floppy disk ) ديسك سخت ( Hard disk ) ب - ديسك هاي نوري CD DVD ج -حافظه هاي فلش ( flash ) د- نوارمغناطیسی ( Tape ) ه- دیسک نوری – مغناطیسی و- کارت پانچ ز- ام پی 3 پليير ح - ام پي 4 پلير 1. دیسک نرم،ديسكت،فلاپي فلاپی دیسک ، یک نوع وسیله ذخیره سازی اطلاعات در کامپیوتر است . درایوهای موجود در کامپیوتر مسئول خواندن و نوشتن اطلاعات برروی فلاپی دیسک ها براساس یک ساختا ر مشخص ش ده می باشند. جنس فلاپی دیسک ها ازپلاستیک نرم بوده که با یک ماده مغناطیس شونده مانند اکسید آهن پوشانده شده اند.متداول ترین دیسک نرم ، دیسکت 5/3اینچی است که ظرفیت آن 44/1 MB است . 5
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : پاورپوینت نوع فایل : powerpoint (..ppt) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد اسلاید : 12 اسلاید
قسمتی از متن powerpoint (..ppt) :
بسم الله الرحمن الرحیم تمرکز حواس و حافظه تمرکز حواس مقدمه تعریف تمرکز حواس: به حداقل رساندن عوامل حواس پرتی و حفظ و نگهداری توجه. منشأ عوامل حواس پرتی: - درونی و ذهنی (مثل خاطرات و تخیلات) - بیرونی و محیطی(مثل سروصدا و شلوغی) ” تمرکز حواس حاصل یادگیری و کسب تجربه های مختلف است نه یک امر ذاتی“ ” مطالعات زیادی نشان داده است که یک انسان می تواند در محل پر سروصدا با تمرکز و توجه کافی مطالعه کند“ انواع تمرکز تمرکز غیر ارادی: - تمرکزدرونی بدون آگاهی و براساس تمایل و اشتیاق درونی - تمرکز هنگام هیجانات تمرکز ارادی: تمرکز ارادی فکر و کنار زدن افکار مزاحم برای تمرکز بر موضوع مورد نظر روش های تقویت تمرکز حواس 1- آمادگی برای مطالعه: برای شروع مطالعه باید خود را از جهات مختلف آماده کرد. 2- آمادگی بدنی: به رشد و تکامل طبیعی بدن، تندرستی و نداشتن نقص های بدنی مربوط می شود. 3- آمادگی ذهنی: خصوصیاتی نظیر رشد گویایی سالم، قدرت تعبیر و تفسیر اشکال، درک همانندی و ناهمانندی ها میان کلمات و ... 4- آمادگی روانی: خستگی، بی قراری، بی تابی، واکنش های منفی به خود و دیگران، ضعف اعتماد به نفس و غیره نشانه نبودن آمادگی روانی است. 5- داشتن علاقه به موضوع مورد مطالعه: داشتن علاقه نسبت به موضوع مورد مطالعه و کاربرد ماهرانه فنون مطالعه باعث به خاطر سپردن و یادآوری راحت مطالب می شود. 6- تعیین هدف: بدون داشتن هدف، یادگیری کاری بس دشوار و غیر ممکن است و مطالعه بدون هدف یکی از عادات غلط مطالعه است. 7- تعیین زمان و مکان مطالعه: تعیین زمان و مکان و مقدار مطالعه باعث برقراری تمرکز حواس، سردرگمی، انرژی و فهم بهتر مطالب می شود. 8- ترک افکار منفی و داشتن افکار مثبت: خود پنداره مثبت و اعتماد به خود مهم ترین کمک برای تمرکز و یادگیری است لذا ” نمی دانم، نمی توانم، این کار محال است“ را از دفتر زندگی تان پاک کنید. 9- طرح سئوال: طرح سئوال پیش از مطالعه و هنگام مطالعه ، خواننده را فعال و بطور عمقی درگیر مطالعه می کند و طرح سئوال پس از مطالعه باعث ارزشیابی فرد از میزان یادگیری خود می شود. 10- استفاده از راهنما: استفاده از یک راهنما مثل انگشت سبابه، مداد و ... به هنگام مطالعه باعث تمرکز حواس بهتر، افزایش سرعت مطالعه و ... می شود. 11- خط کشیدن زیر مطالب مهم: این کار باعث برقراری تمرکز حواس و جلوگیری از حواس پرتی می شود. 12- یادداشت برداری هنگام مطالعه: این کار به فهم یادگیری، یادآوری مطالب، درک بهتر نقاط قوت و ضعف مباحث، تمرکز روی مطالب، و افزایش سرعت یادگیری کمک می کند.
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : پاورپوینت نوع فایل : powerpoint (..ppt) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد اسلاید : 51 اسلاید
قسمتی از متن powerpoint (..ppt) :
حافظه , انواع حافظه های کامپیوتری و ساختار آن ها 1 2 حافظه اصلی حافظه اصلی از مدارات سریعی ساخته میشود که برنامه ها و داده های مورد نیاز را در هنگام اجرا نگهداری مینماید . بر دو نوع است : ROM RAM 3 حافظه ROM حافظه ای است فقط خواندنی که محتوی آن یکبار نوشته شده و پس از نصب در کامپیوتر تغییری در آن داده نمیشود . معمولا از این حافظه برای ذخیره برنامه هائی نظیر bootstrap loader که برای راه اندازی اولیه کامپیوتر مورد نیاز هستند استفاده میشود . این حافظه انواع مختلفی دارد : Masked ROM PROM EPROM EEPROM 4 حافظه RAM عمده حافظه اصلی کامپیوتر از حافظه RAM ساخته میشود . معمولا در کامپیوترها دو نوع حافظه RAM مورد استفاده هستند : DRAM: Dynamic Random Access Memory High density, low power, cheap, slow Dynamic: need to be “refreshed” regularly SRAM: Static Random Access Memory Low density, high power, expensive, fast Static: content will last “forever” (until lose power) 5 6-Transistor SRAM Cell Write : 1. Drive bit lines (bit=1, bit=0) 2. Select row Read : 1. Precharge bit and bit to Vdd or Vdd/2 => make sure equal! 2. Select row 3. Cell pulls one line low 4. Sense amplifier on column detects difference between bit and bit bit bit word bit bit word (row select) 1 0 0 1 ساختار سلول حافظه SRAM
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : پاورپوینت نوع فایل : powerpoint (..ppt) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد اسلاید : 24 اسلاید
قسمتی از متن powerpoint (..ppt) :
بنام خدا حافظه ها ي ثانوي Secondary Storage Devices انواع مختلف حافظه ها ي ثانوي کدامند؟ حافظه هاي با دسترسي مستقيم (Direct Access Devices) ديسکهاي مغناطيسي (Magnetic Disks) ديسکهاي سخت : (Hard Disks) ظرفيت بالا ديسکت ها : (Floppy Disks) ظرفيت پايين و سرعت کم ديسکهاي نوري ) يا ليزري ( يا CD-ROM : ظرفيت خيلي بالا حافظه هاي با دسترسي سريال (Sequential Access Devices ) نوارهاي مغناطيسي : (Magnetic Tapes) دسترسي Sequential سريع حافظه ها ي ثانوي Secondary Storage Devices مقا ي سه انواع حافظه ها از نظر سرعت و ظرف ي ت چگونه م ي باشد؟ سرعت بالا - ظرف ي ت کم سرعت کم - ظرف ي ت بالا ي ک حافظه ثانوي : د ي سک مغناط ي س ي ( Magnetic Disk ) ساختار ديسکهاي سخت (Hard Disks) ساختار ديسکهاي سخت چگونه م ي باشد؟ مجموعه اي از صفحات مغناطيسي سوار شده روي يک محور که به وسيله تعدادي هد ( Head ) به طور همزمان خوانده يا نوشته مي شوند .
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : پاورپوینت نوع فایل : powerpoint (..pptx) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد اسلاید : 27 اسلاید
قسمتی از متن powerpoint (..pptx) :
آلیاژهای حافظه دار (SMA) Shap Memory Alloys مقدمه موادي که باعث سازگاري سازه با محيط خود مي شوند، مواد محرک ناميده مي شوند. اين مواد مي توانند شکل، سفتي، مکان، فرکانس طبيعي و ساير مشخصات مکانيکي را در پاسخ به دما و يا ميدان هاي الکترومغناطيسي تغيير دهند. امروزه پنج نوع ماده محرک به طور عمده استفاده مي شود که شامل :1 آلياژهاي حافظه دار :2 سراميکهاي پيزوالکتريک :3 مواد مغناطيسي سخت :4 مايعات الکترورئولوژکال و 5 : مگنتورئولوژيکال مي باشند. اين مواد از زمره مواد هوشمند محرک مي باشند. مواد هوشمند آن دسته از موادي هستند که مي توانند به تغييرات محيط به بهترين شکل ممکن پاسخ داده و رفتار خود را نسبت به تغييرات تنظيم نمايند . آلیاژهای حافظه دار: آلیاژهای حافظه دار گروه جدیدی از مواد هستند که اگر با ترکیب شیمیایی مشخّص تحت عملیات حرارتی مناسبی قرار گیرند ، توانایی بازگشت به شکل یا اندازه از قبل تعیین شده را از خود نشان می دهند. در واقع آلياژهاي حافظه داراین توانایی را دارند كه اگر آنها را تا بالای دمای ویژه ای گرم كنیم ، قادر به بازیابی شكل اولیه خود خواهند بود. همچنین این مواد قابلیت تبدیل انرژی گرمایی (الکتریکی) را به انرژی مکانیکی دارند واگر گرم وسرد کردن این آلیاژها با جریان الکتریکی کنترل شود؛ میتوان حرکتهای سیکلی با قابلیت تکرار در دفعات متوالی ایجاد کرد. آلياژهاي حافظه دار دو مشخصه بي همتا از خود نشان مي دهند : 1 : Shape Memory Effect (رفتار حافظه اي) 2 : Pseudoelastic Behavior (رفتار شبه الاستيك) ویژگی های دیگر این آلیاژها عبارت است از : مقاومت به خوردگی بالا ، مقاومت ویژه الكتریكی نسبتا بالا، خواص مكانیكی نسبتا خوب ، خستگی طولانی ، شكل پذیری بالا و قابلیت انطباق با بدن . مهمترین كاربرد این آلیاژها در صنایع هوا فضا و صنایع پزشكی است. این آلیاژها در بیشتر موارد شامل Ni-Ti ، Cu-Zn-Al ، Cu -Al-Ni هستند كه در این مقاله آلیاژ Ni-Ti مورد بحث است . در سال 1961 اثر حافظه داري شکل در آلياژ نيکل- تيتانيوم با درصد اتمي مساوي (50-50%) توسط بوهلر و در آزمايشگاه ناوال اوردنانس (Naval Ordanance Lab) کشف و تحت نام نيتينول (Nitinol) مشهور شد. دو حرف اول نيتينول در ارتباط با نيکل، دو حرف بعدي مربوط به عنصر تيتانيوم و سه حرف آخر در رابطه با آزمايشگاه ناول اورد ن انس مي باشد.
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : پاورپوینت نوع فایل : powerpoint (..ppt) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد اسلاید : 20 اسلاید
قسمتی از متن powerpoint (..ppt) :
بنام خدا ذ بررسي حافظه هاي ديناميکي و SDRAM Interfacing عناوين اصلی 1) مقدمه 5) طرحی برای کنترلر 4) ساختار SDRAM 3) SDRAM ها 2) حافظه های ديناميکی 6) جمع بندی و نتيجه گيری مقدمه 1) طرحها با حجم پردازش کم نظير ميکروکنترلرو... 2) طرحها با حجم پردازش زياد نظير پردازنده ها و fpga ها موارد استفاده از حافظه ها حافظه های ديناميکی تفاوتهای DRAM با SRAM الف) DRAM ها نياز مند Refresh هستند. ب) خطوط آدرس DRAM ها مالتي‌پلكس شده است. ج) نيازمند به کنترلر
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : وورد نوع فایل : word (..DOC) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد صفحه : 70 صفحه
قسمتی از متن word (..DOC) :
2 خلاصه متن آلياژهاي حافظه دار عنوان گروهي از آلياژها ميباشد كه خواص متمايز و برتري نسبت به ساير آلياژها دارند. عكسالعمل شديد اين مواد نسبت به برخي پارامترهاي ترموديناميكي و مكانيكي و قابليت بازگشت به شكل اوليه در اثر اعمال پارامترهاي مذكور به گونهاي است كه رفتار موجودات زنده را تداعي مينمايد. وقتي يك آلياژ معمولي تحت بار خارجي بيش از حد الاستيك قرار ميگيرد تغيير شكل ميدهد. اين نوع تغيير شكل بعد از حذف بار باقي ميماند. آلياژهاي حافظه دار، منجمله نيكل – تيتانيم و مس – روي – آلومينيم، رفتار متفاوتي از خود ارائه مينمايند. در دماي پائين يك نمونه حافظه دار ميتواند تغيير شكل پلاستيك چند درصدي را تحمل كند و سپس به صورت كامل به شكل اوليه در دماي بالا برگردد و اين تنها با افزايش دماي نمونه ممكن است. اين فرآيند اولين بار در سال 1938 مشاهده شد و براي مدت زماني طولاني در حد كنجكاوي آزمايشگاهي باقي ماند. در سال 1963 كشف حافظه داري شكل در آلياژ نيكل – تيتانيم با درصد اتمي مساوي (50-50%) نظر دانشمندان و محققين را جلب نمود. از آن پس آلياژهاي حافظه دار به صورت قابل ملاحظه اي توسعه يافتند و كشف مزاياي اساسي و علمي آنها هر روز افزايش يافت. خواص ترمومكانيكي استثنايي آلياژهاي حافظه دار عامل كاربردهاي بسيار مهمي در زمينه مهندسي پزشكي شدهاست. فوقالاستيسيته اجازه ميدهد تا تغيير فرمهاي الاستيك بسيار زياد، وابسته به تغييرات كم تنش، به وقوع بپيوندد و اثر حافظه داري شكل فرآيند فعال سازي ابزار و سيستمها را به صورت بسيار ساده، با تماس حرارت بدن انسان يا گرم كننده خارجي تحت فرمان جراح، ممكن سازد. همچنين گرماي لازم مي 3 تواند با به جريان انداختن يك مايع سترون حامل كالري يا با اتصال يك عامل گرم كننده به دست آيد. دو محدوده كاربرد اصلي اين خاصيت يكي ابزار جراحي است كه جراح از اين خصوصيت مستقيماً در عمل جراحي كمك ميگيرد و دوم جا دادن و جا زدن موقت يا دائم قطعات در بدن است كه به ايمپلنت مشهور شدهاست. در اين مواقع لازم است قبلاً در باره ميزان پذيرش بدن نسبت به ايمپلنت و سازگاري آن تحقيق شده باشد. آلياژهاي نيكل تيتانيم به دليل مقاومت خوب در برابر خوردگي، در مجاورت بافتهاي بدن، اهميت ويژه كاربردي دارند و از مواد مهندسي حافظه دار استثنايي هستند. جهت استفاده از اين مواد در بافتهاي بدن بايد به پارامترهايي از قبيل 1- مقاومت در برابر خوردگي آلياژ در مايع يا بافتهاي بدن 2- پذيرش آلياژ در بدن و عدم طرد آن از طرف ارگانهاي بدن 3- سمي و سرطانزا نبودن آلياژ در بلند مدت توجه شود.بررسي هاي انجام شده بر روي آلياژهاي نيكل – تيتانيم نشان داده است كه مقاومت در برابر خوردگي و پذيرش اين آلياژها در بدن همانند فولادهاي ضد زنگ است كه تاكنون به عنوان مواد بيومديكال از آنها استفاده شدهاست. بحث ما در باره خواص مكانيكي ويژه و بي نظير آلياژهاي حافظه دار است؛ از جمله: تكنولوژي توسعه و توليد آلياژهاي نيكل – تيتانيم، نيكل – تيتانيم – موليبدن و نيكل – تيتانيم متخلخل استفاده شونده در پزشكي خصوصاً در مراجع كنترل كيفيت، استهلاك ارتعاشات، مقاومت خوردگي، سازگاري زيستي، خصوصيات ويژه مكانيكي، ترمومكانيكي و كاربرد آنها به عنوان ايمپلنت پزشكي و توسعه ابزار پزشكي. آلياژهاي حافظه دار در پزشكي كاربردهاي مختلفي داشتهاند. اما كاربرد آنها به عنوان استنت و استنت پوشش دار بين عروقي بسيار ويژه است. ارزش ويژه استنت نيتينول و استنت پوشش 3 دار، وقتي حافظه حرارتي آن باعث خود باز شدن در دماي بدن بشود، ثابت شدهاست. در طي ده سال گذشته عمليات داخل عروقي براي فوريتها و فرآيندهاي انتخابي، به عنوان جايگزينهاي قابل قبول در جراحي باز با منافع بالقوه، رواج پيدا كرده است. استفاده روزافزون از خصوصيات فوقالاستيك و بازيابي شكل حاصل از حرارت ديدن ايمپلنت حافظه دار وسيلهاي موثر در پيشبرد طرحهاي جديد بوده كه سبب پيشرفت سريع كيفيت درمان گشته است. 4 تقسم بندي مواد جامد مقدمه: پيشرفتهاي وسيع و سريعي كه دركليه زمينه هاي صنعتي رخ داده است، مرهون دستيابي به مواد با كيفيت بالاتر است كه در ساخت قطعات ماشين آلات و تجهيزات صنعتي به كار ميروند. عموماً اغلب مهندسين شاغل در واحدهاي صنعتي، به ويژه طراحي و ساخت و توليد، با مواد مهندسي سروكار دارند. آنها معمولاً در انتخاب و كاربرد مواد در طراحي و ساخت و توليد اجزا و بررسي و تحليل شكست شركت دارند. موقعي كه در طراحي و ساخت قطعه اي در مورد انتخاب مواد تصميم گيري ميشود بايد به مسائل مهمي از قبيل: روش ساخت، دقت ابعادي، حفظ و نگهداري شكل صحيح اوليه در حين كاربرد، داشتن خواص مورد نظر و نگهداشتن آن خواص براي مدت معين تحت شرايط محيط كار، امكان تعمير و نگهداري آن خواص براي مدت معين تحت شرايط محيط كار، امكان تعمير و نگهداري آسان درهنگام كاربرد، سازگاري ماده با ديگر مواد اجزاء سيستم، بازيابي آسان ماده، مسائل مربوط به زيست محيطي ماده در ارتباط با ساخت و توليد، هزينه توليد و بالاخره در مواردي وزن و نوع سطح ظاهري آن توجه شود. به طور كلي مواد جامد مهندسي مورد نياز براي طراحي و ساخت و توليد را مي‌توان به سه گروه اصلي با خواص مربوط به خود تقسيم بندي كرد كه عبارت اند از: 1- مواد فلزي 2- مواد غير فلزي معدني يا سراميكي 3- مواد پليمري يا مصنوعي . علاوه بر اين سه گروه، دو گروه ديگر از مواد وجود دارند كه از اين سه گره منشعب ميشوند و به نام مواد 4- مختلط يا كامپوزيتها و نيمه هاديها گروه چهارم و پنجم را تشكيل ميدهند.
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : وورد نوع فایل : word (..doc) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد صفحه : 28 صفحه
قسمتی از متن word (..doc) :
1 1 انواع حافظه : حافظه هاي اصلي به کاربرده شده در اجزاء و مدارات سيستم هاي کامپيوتري دو نوع اصلي را شامل مي شوند: 1. حافظه با قابليت دسترسي تصادفي Read Write Memory (RWM) 2.حافظه فقط خواندني Read Only Memory (ROM) 1. RWM : تا زماني که جريان هاي الکترونيکي از اين حافظه گذر کند قادر به ذخيره سازي اطلاعات مي باشد . حافظه RAM شناخته ترين نوع حافظه در دنياي کامپيوتر است. روش دستيابي به اين نوع از حافظه ها تصادفي است . چون مي توان به هر سلول حافظه مستقيماً دستيابي پيدا کرد . در مقابل حافظه هاي RAMحافظه هاي SAM (Serial Access Memory) وجود دارند. حافظه هاي SAM اطلاعات را در مجموعه اي از سلول هاي حافظه ذخيره و صرفاً امکان دستيابي به آنها بصورت ترتيبي وجود خواهد داشت. (نظير نوار کاست) در صورتيکه داده مورد نظر در محل جاري نباشد هر يك از سلول هاي حافظه به ترتيب بررسي شده تا داده مورد نظر پيدا گردد. حافظه هاي SAM در موارديکه پردازش داده ها الزاماً بصورت ترتيبي خواهد بود مفيد مي باشند ( نظير حافظه موجود بر روي کارت هاي گرافيک.) داده هاي ذخيره شده در حافظه RAM با هر اولويت دلخواه قابل دستيابي خواهند بود. مباني حافظه هاي RAM حافظه RAM يک تراشه مدار مجتمع (IC) بوده که از ميليونها ترانزيستور و خازن تشکيل شده است. در اغلب حافظه‌ها با استفاده و بکارگيري يک خازن و يک ترانزيستور مي‌توان يک سلول را ايجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداري يک بيت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بيت را که يک و يا صفر است، در خود نگهداري خواهد کرد. عملکرد ترانزيستور مشابه يک سوييچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود بر روي تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخيره شده در خازن و يا تغيير وضعيت مربوط به آن، فراهم مي نمايد. خازن مشابه يک ظرف (سطل) بوده که قادر به نگهداري الکترونها است. بمنظور ذخيره سازي مقدار "يک" در حافظه، ظرف فوق مي‌بايست از الکترونها پر گردد. براي ذخيره سازي مقدار "صفر"، مي بايست ظرف فوق خالي گردد. مساله مهم در رابطه با خازن، نَشت اطلاعات است (وجود سوراخ در ظرف) بدين ترتيب پس از گذشت چندين ميليثانيه ي 2 2 ک ظرف مملو از الکترون تخليه مي گردد. بنابراين بمنظور اينکه حافظه بصورت پويا اطلاعات خود را نگهداري نمايد , مي بايست پردازنده و يا "کنترل کننده حافظه" قبل از تخليه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداري مقدار"يك" باشند. بدين منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات , حافظه را خوانده و مجدداً اطلاعات را بازنويسي مي نمايد. عمليات فوق (Refresh) هزاران مرتبه در يک ثانيه تکرار خواهد شد. براي Refresh كردن RAM از چيپDAM(Direct Memory Access) استفاده ميشود. علت نامگذاري DRAM بدين دليل است که اين نوع حافظه ها مجبور به بازخواني اطلاعات بصورت پويا خواهند بود. فرآيند تکراري" بازخواني / بازنويسي اطلاعات" در اين نوع حافظه ها باعث مي شود که زمان تلف شده و سرعت حافظه کند گردد. سلول هاي حافظه بر روي يک تراشه سيليکون و بصورت آرايه اي مشتمل از ستون ها (خطوط بيت) و سطرها (خطوط کلمات) تشکيل مي گردند. نقطه تلاقي يک سطر و ستون بيانگر آدرس سلول حافظه است. حافظه هاي DRAM با ارسال يک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزيستور در هر بيت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعيتي خواهند شد که خازن مي بايست به آن وضعيت تبديل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گيري مي نمايد. در صورتيکه سطح فوق بيش از پنجاه درصد باشد مقدار "يک" خوانده شده و در غير اينصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عمليات فوق بسيار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانيه ( يک ميلياردم ثانيه ) اندازه گيري ميشود. تراشه حافظه اي که داراي سرعت 70 نانوثانيه است ، 70 نانو ثانيه طول خواهد کشيد تا عمليات خواندن و بازنويسي هر سلول را انجام دهد. سلول هاي حافظه در صورتيکه از روش هايي بمنظور اخذ اطلاعات موجود در سلول ها استفاده ننمايند، بتنهايي فاقد ارزش خواهند بود. بنابراين لازم است سلول هاي حافظه داراي يک زيرساخت کامل حمايتي از مدارات خاص ديگر باشند. مدارات فوق عمليات زير را انجام خواهند داد: مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون ) نگهداري وضعيت بازخواني و باز نويسي داده ها ( شمارنده ) خواندن و برگرداندن سيگنال از يک سلول ( Sense amplifier)اعلام خبر به يک سلول که مي بايست شارژ گردد و يا ضرورتي به شارژ وجود ندارد(WRITE ENABEL) ساير عمليات مربوط به كنترل کننده حافظهً شامل مواردي نظير : مشخص نمودن نوع سرعت ، ميزان حافظه و بررسي خطاء است . 4 4 حافظه هاي SRAM داراي يک تکنولوژي کاملاً متفاوت مي باشند. در اين نوع از حافظه ها از فليپ فلاپ براي ذخيره سازي هر بيت حافظه استفاده مي گردد. يک فليپ فلاپ براي يک سلول حافظه، از4 تا 6 ترانزيستور استفاده مي کند . حافظه هاي SRAM نيازمند بازخواني / بازنويسي اطلاعات نخواهند بود، بنابراين سرعت اين نوع از حافظه ها بمراتب از حافظه هاي DRAM بيشتر است .با توجه به اينکه حافظه هاي SRAM از بخش هاي متعددي تشکيل مي گردد، فضاي استفاده شده آنها بر روي يک تراشه بمراتب بيشتر از يک سلول حافظه از نوع DRAM خواهد بود. در چنين مواردي ميزان حافظه بر روي يک تراشه کاهش پيدا کرده و همين امر مي تواند باعث افزايش قيمت اين نوع از حافظه ها گردد. بنابراين حافظه هاي SRAM سريع و گران و حافظه هاي DRAM ارزان و کند مي باشند . با توجه به موضوع فوق ، از حافظه هاي SRAM بمنظور افزايش سرعت پردازنده ( استفاده ازCache) و از حافظه هاي DRAM براي فضاي حافظه RAM در کامپيوتر استفاده مي گردد. ماژول هاي حافظه تراشه هاي حافظه در کامپيوترهاي شخصي در آغاز از يک پيکربندي مبتني بر Pin با نام DIP(Dual line Package) استفاده مي کردند. اين پيکربندي مبتني بر پين، مي توانست لحيم کاري درون حفره هايي برروي برداصلي کامپيوتر و يا اتصال به يک سوکت بوده که خود به برد اصلي لحيم شده است .همزمان با افزايش حافظه ، تعداد تراشه هاي مورد نياز، فضاي زيادي از برد اصلي را اشغال مي کردند.از روش فوق تا زمانيکه ميزان حافظه حداکثر دو مگابايت بود ، استقاده مي گرديد. راه حل مشکل فوق، استقرار تراشه هاي حافظه بهمراه تمام عناصر و اجزاي حمايتي در يک برد مدار چاپي مجزا (Printed Circut Board) بود. برد فوق در ادامه با استفاده از يک نوع خاص از کانکتور ( بانک حافظه ) به برد اصلي متصل مي گرديد. اين نوع تراشه ها اغلب از يک پيکربندي pin با نام SOJ(Small Outline J-lead) استفاده مي کردند . برخي از توليدکنندگان ديگر که تعداد آنها اندک است از پيکربندي ديگري با نام TSOP (Thin Small Outline Package ) استفاده مي نمايند. تفاوت اساسي بين اين نوع پين هاي جديد و پيکربندي DIP اوليه در اين است که تراشه هاي SOJ و TSOP بصورت surface-mounted در PCB هستند. به عبارت ديگر پين ها مستقيماً به سطح برد لحيم خواهند شد . ( نه داخل حفره ها و يا سوکت ) .تراشه‌هاي حافظه از طريق کارتهايي که "ماژول" ناميده مي شوند قابل دستيابي و استفاده مي باشند. شايد 5 5 تاکنون با مشخصات يک سيستم که ميزان حافظه خود را بصورت 32 * 8 , يا 16 * 4 اعلام مي نمايد، برخورده کرده باشيد. اعداد فوق تعداد تراشه‌ها ضربدر ظرفيت هر يک از تراشه‌ها را که بر حسب مگابيت اندازه گيري مي‌گردند، نشان مي دهد. بمنظور محاسبه ظرفيت، مي توان با تقسيم نمودن آن بر هشت ميزان مگابايت را بر روي هر ماژول مشخص کرد. مثلاً يک ماژول 32 * 4، بدين معني است که ماژول داراي چهار تراشه 32 مگابيتي است. با ضرب 4 در 32 عدد 128 (مگابيت) بدست مي آيد. اگر عدد فوق را بر هشت تقسيم نماييم به ظرفيت 16 مگابايت خواهيم رسيد.نوع برد و کانکتور استفاده شده در حافظه هاي RAM ,طي پنج سال اخير تفاوت کرده است. نمونه‌هاي اوليه اغلب بصورت اختصاصي توليد مي گرديدند. توليد کنندگان متفاوت کامپيوتر بردهاي حافظه را بگونه‌اي طراحي مي‌کردند که صرفاً امکان استفاده از آنان در سيستم هاي خاصي وجود داشت. در ادامه SIMM (Single in-line memory) مطرح گرديد. اين نوع از بردهاي حافظه از 30 پين کانکتور استفاده کرده و طول آن حدود 3/5 اينچ و عرض آن يک اينچ بود ( يازده سانتيمتر در 2/5 سانتيمتر ). در اغلب کامپيوترها مي‌بايست بردهاي SIMM بصورت زوج هايي که داراي ظرفيت و سرعت يکسان باشند، استفاده گردد. علت اين است که پهناي گذرگاه داده بيشتر از يک SIMM است. مثلاً از دو SIMM هشت مگابايتي براي داشتن 16 مگابايت حافظه بر روي سيستم استفاده مي‌گردد. هر SIMM قادر به ارسال هشت بيت داده در هر لحظه خواهد بود با توجه به اين موضوع که گذرگاه داده شانزده بيتي است از نصف پهناي باند استفاده شده و اين امر منطقي بنظر نمي آيد. در ادامه بردهاي SIMM بزرگتر شده و داراي ابعاد (11 سانتيمتر در 2/5 سانتيمتر) شدند و از 72 پين براي افزايش پهناي باند و امکان افزايش حافظه تا ميزان 256 مگابايت بدست آمد. بموازات افزايش سرعت و ظرفيت پهناي باند پردازنده‌ها، توليدکنندگان از استاندارد جديد ديگري با نام DIMM(Dual In-line Memory Module ) حافظه داراي 168 پين و ابعاد 1 * 5/4
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
