لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : ppt نوع فایل : powerpoint (..ppt) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد اسلاید : 29 اسلاید
قسمتی از متن powerpoint (..ppt) :
ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی ) BJT) فصل چهارم P N P E B C امیتر E بیس B C کلکتور N P N امیتر E بیس B C کلکتور E B C *زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد P N P R E V CC R V EE E2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کند E1 برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2 بایاس مستقیم بایاس معکوس P N P I x I PE I pco I co I E I nco I pc جریان حامل های اقلیت میزان حفره تزریقی امیتر I PE جریان امیتر و I E ضریب تزریقی امیتر γ = I PE I E مولفه های جریانی ترانزیستور در ناحیه فعال: مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شود I x مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کند I PC = ضریب گذردهی بیس I PC I PE جریان الکترونی بیس که برای ترکیب با حفره های ، به می آیند I nco C C
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : ppt نوع فایل : powerpoint (..ppt) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد اسلاید : 43 اسلاید
قسمتی از متن powerpoint (..ppt) :
بنام خدا فصل دوم : دیود پیوندی 1- در مدار شکل زیر دیود ژرمانیوم در دمای معمولی دارای جریان اشباع معکوس A µ 10 , ولتاژ شکست v 100 و مقاومت اهمی ناچیز است . جریان مدار را در حالت های زیر بدست آورید : الف ( دیود به صورت مستقیم با یاس شده باشد . ب ( دیود به صورت معکوس با یاس شده باشد . + _ V D 1k I + _ 30V حل : الف – I = IS ( e - 1) = 10 × 0.001 ( e - 1)mA I = 10 × 0.001 × e جهت حل این معادله از روش سعی خطا استفاده می نماییم . ولتاژ دو سر دیود ژرمانیم در حال هدایت تقریبا 0.2 ولت است بنا براین داریم : I = (30 - 0.2) / 1 = 29.8mA بنابراین با I = 29.5mA شروع می کنیم , 29.5 = 10 × 0.001 × e ~ 150mA جریان تقریبی درست نیست I = 29.5mA 29.6 = 10 × 0.001 × e ~ 21.9mA 29.55 = 10 × 0.001 × e ~ 57.32mA و ملاحظه می شود که I = 29.6mA به جواب نزدیک می باشد لذا داریم , I = 29.6mA ب – در حالت بایاس معکوس جریان مدار جریان اشباع معکوس خواهد بود . I = I S = 10 A درست نیست I = 29.55mA درست نیست I = 29.6mA