لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : وورد نوع فایل : word (..doc) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد صفحه : 36 صفحه
قسمتی از متن word (..doc) :
0 آشنايي با ساختمان و عملكرد نيمه هادي ديود و ترانزيستور نيمه هادي ها و ساختمان داخلي آنها نيمه هادي ها عناصري هستند كه از لحاظ هدايت ، ما بين هادي و عايق قرار دارند، و مدار آخر نيمه هاديها ، داراي 4 الكترون ميباشد. ژرمانيم و سيليكون دو عنصري هستند كه خاصيت نيمه هادي ها را دارا ميباشند و به دليل داشتن شرايط فيزيكي خوب ، براي ساخت نيمه هادي ديود ترانزيستور ، آي سي (IC ) و .... مورد استفاده قرار ميگيرد. ژرمانيم داراي عدد اتمي32 ميباشد . اين نيمه هادي ، در سال 1886 توسط ونيكلر winkler كشف شد. 2 اين نيمه هادي ، در سال 1810توسط گيلوساك Gilosake و تنارد Tanard كشف شد. اتمهاي نيمه هادي ژرمانيم و سيليسيم به صورت يك بلور سه بعدي است كه با قرار گرفتن بلورها در كنار يكديگر ، شبكه كريستالي آنها پديد ميآيد . اتم هاي ژرمانيم و سيليسيم به دليل نداشتن چهار الكترون در مدار خارجي خود تمايل به دريافت الكترون دارد تا مدار خود را كامل نمايد. لذا بين اتم هاي نيمه هادي فوق ، پيوند اشتراكي برقرار ميشود. بر اثر انرژي گرمائي محيط اطراف نيمه هادي ، پيوند اشتراكي شكسته شده و الكترون آزاد ميگردد. الكترون فوق و ديگر الكترون هائي كه بر اثر انرژي گرمايي بوجود ميآيد در نيمه هادي وجود دارد و اين الكترون ها به هيچ اتميوابسته نيست. د ر مقابل حركت الكترون ها ، حركت ديگري به نام جريان در حفره ها كه داراي بار مثبت ميباشند، وجود دارد. اين حفره ها، بر اثر از دست دادن الكترون در پيوند بوجود ميآيد. بر اثر شكسته شدن پيوندها و بو جود آمدن الكترون هاي آزاد و حفره ها ، در نيمه هادي دو جريان بوجود ميآيد.جريان اول حركت الكترون كه بر اثر جذب الكترون ها به سمت حفره ها به سمت الكترون ها بوجود خواهد آمد و جريان دوم حركت حفره هاست كه بر اثر جذب حفره ها به سمت الكترون ها بوجود مي 2 آيد. در يك كريستال نيمه هادي، تعداد الكترونها و حفره ها با هم برابرند ولي حركت الكترون ها و حفره ها عكس يكديگر ميباشند. نيمه هادي نوع N وP از آنجايي كه تعداد الكترونها و حفره هاي موجود در كريستال ژرمانيم و سيليسيم در دماي محيط كم است و جريان انتقالي كم ميباشد، لذا به عناصر فوق ناخالصي اضافه ميكنند. هرگاه به عناصر نيمه هادي ، يك عنصر 5 ظرفيتي مانند آرسنيك يا آنتيوان تزريق Dopping شود، چهار الكترون مدار آخر آرسنيك با چهار اتم مجاور سيلسيم يا ژرمانيم تشكيل پيوند اشتراكي داده و الكترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقي ميماند. بنابرين هر اتم آرسنيك، يك الكترون اضافي توليد ميكند، بدون اينكه حفره اي ايجاد شده باشد. نيمه هادي هايي كه ناخالصي آن از اتم هاي پنج ظرفيتي باشد، نيمه هادي نوع 3 N Negative نام دارد. در نيمه هادي نوع N ، چون تعداد الكترون ها خيلي بيشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدايت جريان را انجام ميدهند . به حامل هدايت فوق حامل اكثريت و به حفره ها حامل اقليت ميگويند. هرگاه به عناصر نيمه هادي ژرمانيم و سيليسيم ، يك ماده 3 ظرفيتي مانند آلومنيوم يا گاليم تزريق شود، سه الكترون مدار آخر آلومنيوم با سه الكترون سه اتم سيليسيم يا ژرمانيم مجاور ، تشكيل پيوند اشتراكي ميدهند . پيوند چهارم داراي كمبود الكترون و در واقع يك حفره تشكيل يافته است . هر اتم سه ظرفيتي، باعث ايجاد يك حفره ميشود، بدون اينكه الكترون آزاد ايجاد شده باشد. در اين نيمه هادي ناخالص شده، الكترون ها فقط در اثر شكسته شدن پيوندها بو جود ميآيند. نيمه هادي هايي كه ناخالصي آنها از اتم هاي سه ظرفيتي باشد، نوع P Positive مينامند . حفره ها در اين نيمه هادي به عنوان حامل هاي اكثريت و الكترون ها به عنوان حاملهاي اقليت وجود دارد،
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : وورد نوع فایل : word (..doc) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد صفحه : 83 صفحه
قسمتی از متن word (..doc) :
2 2 1-30 ابزار برقي نيمه هادي دوران جديد از علم الكترونيك هيدروليكي برقي با معرفي تراستورها در اواخر دهه 1950 آغاز شد. امروزه انواع مختلفي از ابزار برقي و هيدروليكي براي كاربرد در فركانس ها و قدرت هاي بالا در دسترس وجود دارد. برجسته ترين ابزار برقي و هيدروليكي تراستورهاي محل ورود گيت و خروج روشن خاموش ترانزيستور هاي دارلينگتون هيدروليكي برقي و ترانزيستورهاي دوقطبي گيت روكشدار شده (iGBIs) مي بشند. ابزار هيدروليكي قبرقي نيمه هادي مهمترين عناصر عملكردي در تمامي كاربردهاي تبديل قدرت برق محسوب مي شود. ابزار برقي اساساً به عنوان سوئيچ هايي براي تبديل قدرت از يك شكل به شكل يديگر به كار برده مي شوند. آنها در سيتسم هاي كنترل موتوري ذخاير برقي متداوم انتقال جريان مستقيم با ولتاژ بالا ذخاير قوه گرم سازي القايي و در بسياري از ساير كاربردهاي تبديل قدرت به كار برده مي شوند. بررسي ويژگي هاي اصلي اين ابزارهاي موتوري در اين فص آمده است. تيراستور و تراياك (مهار نيرو) از تراستورها همچنين يك كننده گاهي كنترل شونده سيليكوني نام برده مي شود. كه اساساً يك دستگاه 2 3 pnpn هم كنشگر سه قسمتي چهار لايه مي باش.د كه داراي 3 ترمينال يا پايانه مي باشد: آند، كاتد و گيت محل ورودي، خروجي اين دستگاه به واسطه ايجاد يك پالس كوتاه در مسير گيت و كاتد روشن مي شود. به محض روشن شدن دستگاه گيت كنترل خود را براي خاموش كردن دستگاه از دست مي دهد. و خاموش شدن به واسطه ايجاد ولتاژ برعكس در آند و كاتد رخ مي دهد. شكل تراستور و ويژگي هاي ولتاژ آمپر آن در نمودار 3001 آمده است. اصولاص 2 طبقه بندي در مورد تيراستورها وجود دارد: دستگاه حركت برگردان (كه جريان متناوب را به جريان مستقيم تبديل مي كند و حركت وارون مي سازد كه جريان مستقيم را به متناوب تبديل مي كند) تفاوت ميان يك دستگاه تيراستور برگردان و وارون ساز زمان پايين خاموش شدن دومي مي باشد. تيراستورهاي برگردان پايين است و در كاربردهاي دگرسو سازي هاي طبيعي استفاده مي شوند. تيراستورهاي وارون ساز در كاربردهاي تبديل برق اضطراري همچون جاپرها dc-dc و وارون سازي dc-ac استفاده مي شوند. تيراستورهاي وارون ساز به ويسله تبديل جريان به صفر با استفاده از يك مدار خارجي تبديل برق خاموش مي شوند. و اين امر مستلزم اجزاي سازنده تبيدل برق اضافي مي باشد. از اين رو خسارات اضافي در دستگاه وارون ساز جريان را موجب مي شود. 2 3 تيراستورها در شرايط جريان هاي موقتي و قابليت dv/dt بسيار قوي و نيرومند عمل مي كنند. ولتاژ پيشين در تيراستورها حدود 5/1 تا 2 ولت مي باشد. و حتي در جريان هاي بيشتر در ترتيب A1000 اغلب به 3 ولت هم مي رسد. هنگامي كه ميكروولتاژ پيشين كاهش برق دستگاه را در هر جريان ايجاد شده مشخص مي كند كاهش برق تغيير يافته تبديل به فاكتور مسلمي براي تحت تاثير قرار دادن دماي هم كنشگر و بخش نيم رسانا در فركانس هاي بسيار بالا م يشود. به همين علت ماكزيمم فركانس هاي متغير ممكن كه از تيراستورها استفاده مي كنند، در مقايسه با ساير دستگاه هاي برقي كه در اين فصل به آنها اشاره شده است محدودتر مي باشد. تيراستورها داراي قابليت و توان مقاوم I2t مي باشند و به وسيله فيزوها محافظت مي شوند. قابليت جريان فراتاخت بدون تكرار تيراستورها حدود 10 برابر جريان زاويه چهارگوشي دار ميانگين ريشته رده بندي شده آنها مي باشد. (rms) آنها بايد توسط شبكه هاي اتصالي سربالايي به دليل تاثيرات di/d+ , dv محافظت شوند. اگر dr/dt مشخص شد. افزايش يابد تيراستورها ممكن است هدايت جريان را بدون استفاده يك پالس گيت (محل خروج و ورود) شروع كنند. در كاربردهاي تبديل جريان 2 5 dc به ac لازم است از يك ديود غير موازني با ميزان سرعت و براورد يكسان و مشابه در طول مسير هر يك از تيراستورهاي اصلي استفاده كنيد. تيراستورها تا v 6000 و A 3500 قابل دسترسي و استفاده هستند. يك تراياك در واقع به طور عملكرد يك جفت از تيراستورهاي برگردان جريان كه به طور غيرعادي با هم مرتبط اند مي باش.د شكل تراياك و ويژگي هاي ولت آمپر آن در نمودار 3002 نمايش داده شده است. بعلت تلفيق و يكي سازي، تراياك از ويژگي dr/dt دوباره به كار برده شده ضعيف، حساسيت ضعيف جريان گيت ورودي و خروجي در زمان روشن بودن دستگاه طولاني تر بودن مدت زمان خاموشي برخوردار مي باش.د تراياك اساساً در كاربرد هاي كنترل فاز همچون تنظيم كننده ac براي روشن كردن و كنترل فن و همچنين در رله هاي حالت جامد به كار برده مي شوند. تيراستورهاي خاموش كننده گيت: (GTO) GTO در واقع ابزار برقي مي باشند كه با يك پالس كوتاه جريان گيت روشن شده و به واسطه ايجاد يك پالس گيت برعكس جريان خاموش مي شوند. اين دامنه نوسان جريان بالعكس گيت بستگي به جريان آندي دارد كه خاموش مي شود. بنابراين نيازي به يك مدار دگرسو سازي خارجي براي خاموش كردن آن نيست. زيرا خاموش شدن به واسطه ميان پر زدن مستقيم رساناگر ها به مدار گيت تامين مي شود و زمان خاموش شدن آن بسيار كوتاه مي باشد. در نتيجه قابليت بيشتري نسبت به ترانزيستورها براي عملكرد با فركانس بالا در اخترا قرار مي دهد. نماد
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : وورد نوع فایل : word (..doc) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد صفحه : 36 صفحه
قسمتی از متن word (..doc) :
0 آشنايي با ساختمان و عملكرد نيمه هادي ديود و ترانزيستور نيمه هادي ها و ساختمان داخلي آنها نيمه هادي ها عناصري هستند كه از لحاظ هدايت ، ما بين هادي و عايق قرار دارند، و مدار آخر نيمه هاديها ، داراي 4 الكترون ميباشد. ژرمانيم و سيليكون دو عنصري هستند كه خاصيت نيمه هادي ها را دارا ميباشند و به دليل داشتن شرايط فيزيكي خوب ، براي ساخت نيمه هادي ديود ترانزيستور ، آي سي (IC ) و .... مورد استفاده قرار ميگيرد. ژرمانيم داراي عدد اتمي32 ميباشد . اين نيمه هادي ، در سال 1886 توسط ونيكلر winkler كشف شد. 2 اين نيمه هادي ، در سال 1810توسط گيلوساك Gilosake و تنارد Tanard كشف شد. اتمهاي نيمه هادي ژرمانيم و سيليسيم به صورت يك بلور سه بعدي است كه با قرار گرفتن بلورها در كنار يكديگر ، شبكه كريستالي آنها پديد ميآيد . اتم هاي ژرمانيم و سيليسيم به دليل نداشتن چهار الكترون در مدار خارجي خود تمايل به دريافت الكترون دارد تا مدار خود را كامل نمايد. لذا بين اتم هاي نيمه هادي فوق ، پيوند اشتراكي برقرار ميشود. بر اثر انرژي گرمائي محيط اطراف نيمه هادي ، پيوند اشتراكي شكسته شده و الكترون آزاد ميگردد. الكترون فوق و ديگر الكترون هائي كه بر اثر انرژي گرمايي بوجود ميآيد در نيمه هادي وجود دارد و اين الكترون ها به هيچ اتميوابسته نيست. د ر مقابل حركت الكترون ها ، حركت ديگري به نام جريان در حفره ها كه داراي بار مثبت ميباشند، وجود دارد. اين حفره ها، بر اثر از دست دادن الكترون در پيوند بوجود ميآيد. بر اثر شكسته شدن پيوندها و بو جود آمدن الكترون هاي آزاد و حفره ها ، در نيمه هادي دو جريان بوجود ميآيد.جريان اول حركت الكترون كه بر اثر جذب الكترون ها به سمت حفره ها به سمت الكترون ها بوجود خواهد آمد و جريان دوم حركت حفره هاست كه بر اثر جذب حفره ها به سمت الكترون ها بوجود مي 2 آيد. در يك كريستال نيمه هادي، تعداد الكترونها و حفره ها با هم برابرند ولي حركت الكترون ها و حفره ها عكس يكديگر ميباشند. نيمه هادي نوع N وP از آنجايي كه تعداد الكترونها و حفره هاي موجود در كريستال ژرمانيم و سيليسيم در دماي محيط كم است و جريان انتقالي كم ميباشد، لذا به عناصر فوق ناخالصي اضافه ميكنند. هرگاه به عناصر نيمه هادي ، يك عنصر 5 ظرفيتي مانند آرسنيك يا آنتيوان تزريق Dopping شود، چهار الكترون مدار آخر آرسنيك با چهار اتم مجاور سيلسيم يا ژرمانيم تشكيل پيوند اشتراكي داده و الكترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقي ميماند. بنابرين هر اتم آرسنيك، يك الكترون اضافي توليد ميكند، بدون اينكه حفره اي ايجاد شده باشد. نيمه هادي هايي كه ناخالصي آن از اتم هاي پنج ظرفيتي باشد، نيمه هادي نوع 3 N Negative نام دارد. در نيمه هادي نوع N ، چون تعداد الكترون ها خيلي بيشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدايت جريان را انجام ميدهند . به حامل هدايت فوق حامل اكثريت و به حفره ها حامل اقليت ميگويند. هرگاه به عناصر نيمه هادي ژرمانيم و سيليسيم ، يك ماده 3 ظرفيتي مانند آلومنيوم يا گاليم تزريق شود، سه الكترون مدار آخر آلومنيوم با سه الكترون سه اتم سيليسيم يا ژرمانيم مجاور ، تشكيل پيوند اشتراكي ميدهند . پيوند چهارم داراي كمبود الكترون و در واقع يك حفره تشكيل يافته است . هر اتم سه ظرفيتي، باعث ايجاد يك حفره ميشود، بدون اينكه الكترون آزاد ايجاد شده باشد. در اين نيمه هادي ناخالص شده، الكترون ها فقط در اثر شكسته شدن پيوندها بو جود ميآيند. نيمه هادي هايي كه ناخالصي آنها از اتم هاي سه ظرفيتي باشد، نوع P Positive مينامند . حفره ها در اين نيمه هادي به عنوان حامل هاي اكثريت و الكترون ها به عنوان حاملهاي اقليت وجود دارد،
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : وورد نوع فایل : word (..doc) ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد صفحه : 142 صفحه
قسمتی از متن word (..doc) :
1 خلاصه گزارش: طرح هادي روستاي دره دهستان منشاد، بخش ميانكوه، شهرستان مهريز، استان يزد مرحله اول : شناخت وضعيت موجود 1 خلاصه گزارش: طرح هادي روستاي دره دهستان منشاد، بخش ميانكوه، شهرستان مهريز، استان يزد مرحله اول : شناخت وضعيت موجود 2 روستاي دره از توابع شهرستان مهريز به بخشا ميان و دهستان ميان كوه مي باشد كه در 19 كيلومتري شهر مهريز ( مركز شهرستان مهريز) و 49 كيلو متري شهريزد ( مركز استان) واقع شده است اين روستا با مختصات جغرافيايي 53 درجه و 25 دقيقه طول شرقي و 32 درجه و 9 دقيقه عرض شمالي در ارتفاع بيش از 2000 متر از سط آبهاي آزاد ودر بستري كوهستاني استقرار يافته است به لحاظ نسبي از شمال به مهريز از جنوب به روستاي گل افشان گور و منشاد منتهي مي شود اين روستا از نظر لرزه خيزي نسبت به مناطق ديگر استان در پهنه با خطر پذيري نسبتا بالا قرار دارد و آب اين روستا از قنات و منابع زير زميني تامين مي شود. بر پايه مطالعه به عمل آمده و به نقل از اهالي روستا اساس و بنيان شكل گيري روستاي دره برمي گردد. دسترسي به مجموعه اي از عوامل طبيعي انسان و اجتماعي نظير: بهره مندي از آب يك رشته قنات وضعيت آب و هوايي مناسب استقرار در حاشيه جاده ارتباطي مهريز – منشاد بهره گيري از گياهان بياباني جهت چراي دامداري و رونق دامداري 3 اين موارد زمينه و شرايط گسترش و تكوين تدريجي روستا را فراهم آورده است. وجه؟؟ روستاي دره به علت موفقيت جغرافيايي و قرار گرفتن بين دو كوه بوده است -شناسايي روستا ويژگي هاي جمعيتي: نتايج حاصل از مقايسه چهار دوره سرشماري عمومي نشان مي دهد كه جمعيت روستاي سورك در سال 1355، معادل 83 نفر اعلام و با نرخ رشد 5 درصد به 115 نفر در سال 1365 رسيده است، و با نرخ رشد 12 درصد درسال 1375 تعداد جمعيت روستا به 350 نفر افزايش يافته است. اما در طي سالهاي 1385 –1375 جمعيت روستا بانرخ 35/1- تعداد جمعيت 289 نفر كاهش يافته است جدول شماره (1) : تحولات جمعيت روستاي سورك در سالهاي مختلف سال تعداد جمعيت خانوار بعد خانوار نرخ رشد نرخ رشد 1355 83 18 61/4 2/5 97/4 1365 115 23 5 61/11 1375 350 83 21/4 35/1- 1385 389 100 09/3 مأخذ: سرشماري عمومي نفوس و مسكن و آمار خانه بهداشت روستا درسال 1385 و محاسبات مشاور
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
